多晶硅被喻为光伏产业的“基石”，是硅产业链中极为重要的中间产品，也是集成电路和光伏产业最源头的环节，是发展电子信息产业和光伏产业的根基，是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料，被称为“微电子大厦的基石”。

　　多晶硅，属于单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，若这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。主要通过工业硅加工提纯而来。多晶硅外观呈灰色金属光泽，熔点约为1410℃，常温下不活泼，熔融状态下较为活泼。多晶硅具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。

　　多晶硅的生产工艺主要有：改良西门子法、硅烷硫化床法、冶金法、硅石碳热还原法、电解法、气液沉积法、硅烷法、硫化床法。 目前较为主流的主要是硅烷流化床法和改良西门子法。

　　1、改良西门子法： 1955年，德国西门子公司成功开发利用氢气还原三氯硅烷。在硅芯发热体上沉积硅的工艺技术，并于 1957 年开始了工业规模的生产，俗称西门子法。由于西门子法生产多晶硅存在转化率较低，副产品排放污染等问题，升级版的改良西门子法被有针对性地推出。 改良西门子法主要包括以下步骤： A、工业级硅料的冶炼与提纯； B、三氯氢硅的生成与精馏； C、光伏级多晶硅的还原制备； D、尾气的分离与再利用； E、冷氢化：将副产物四氯化硅与氢气及硅粉反应重新生成三氯氢硅返回循环。

　　2、亚美体育 亚美平台硅烷流化床法： 硅烷流化床法是美国联合碳化合物公司研发的多晶硅制备工艺技术。该工艺以四氯化硅SiCl4、氢气H2、氯化氢HCl和工业硅为原料，在流化床内，通过高温高压生成三氯氢硅SiHCl3，然后将三氯氢硅加氢反应，进一步歧化生产二氯二氢硅SiH2Cl2，得到硅烷气，最后将硅烷气通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，是硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。

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